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此外,Ⅲ—Ⅴ族氮化物LED已有较长的寿命试验记录,它比GaAs材料更硬、尤其适合于制作耐高温器件。厂商们开发的Ⅲ—V族如铝、铟、镓的氮化物AlN、InN、GaN等,其能带隙宽为1.9—6.2eV,能够产生绿光、蓝光和紫外光,成为制造LED的极佳材料。雷盛LEDSEE官网,除了以上几种氮化物外,对Ⅱ—Ⅵ族材料也进行了研究。主要是用硒化锌ZnSe制造多层异质结构可发出蓝绿光,实际上器件衬底都用GaAs,因其晶格与ZnSe较匹配,也较易购得到3英寸直径的片子。美国厂商曾开发出以ZnSe为衬底,ZnTeSe为有源层的发光二极管,输出512nm深绿光,而ZnSe不像GaAs,它对该波长的光是透明的,加上10mA电流时可获得1.3mW,即外部量子效率达5.3%,因而其亮度比用Ⅲ—Ⅴ族氮化物制造的LED亮度更高。
引人注目的是,在蓝光LED技术的基础上以蓝光激发YAG荧光材料而制造成功的白光LED渐成新宠,深受广大用户欢迎,有望成为照明领域的一支新军,因此,目前在全球LED市场上,蓝、绿、白光LED正在开始形成三足鼎立的态势,成为最具发展潜力的LED产品。在各种制造LED的材料当中,尤其以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料最为引人注目,GaN发光效率高,抗辐射性能和耐热性能极佳,强度和硬度高,并且耐酸性强,是一种极具应用价值的半导体材料,因此,氮化镓材料及其合金最适宜于制造短波长发光器件,发光波长范围包括绿、蓝、紫等多种波段,普遍用来制造蓝光和绿光LED。